在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应......

GaN基异质结可以在非有意掺杂的情况下产生高电子迁移率、高面密度的二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG),以高电子迁......