采用共溅射磁控溅射方法，以Al＋Er为靶材，通过Er和Al靶的面积比来控制Er在A1N中的含量，在Si衬底上制备出AlN：Er薄膜．XRD分析结果表明，样品......

AlN具有最宽的直接带隙,通过能带工程可使其带隙覆盖从紫外到红外的光谱范围,同时也是发光材料的优良基质,可以有效地抑制稀土离子......

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