研究了Ar^＋刻蚀对InGaAs，n-InP和p-InP表面的损伤，并用湿法腐蚀后处理消除损伤．Ar^＋刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小，而n-InP和p-InP表......

通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使......

在HgCdTe光伏探测器件SiO2＋ZnS复合介质膜钝化中，引入O2^＋清洗和Ar^＋刻蚀两种等离子体处理工艺，大大提高薄膜附着力，成功制备出优良的光......