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随着5G通信时代的到来,对集成化、微型化以及高频化滤波器的需求与日剧增。基于离子注入剥离（Crystal Ion Slicing,CIS）制备的单晶铌......
介绍了碲锌镉晶片双面磨抛机的工艺过程和原理,研究了双面磨抛工艺中磨抛液粒度、抛光压力、抛光液流量和工作台转速对晶片表面损......
The damage process of concrete exposed to sodium sulfate attack and drying-wetting cycles was investigated. The water to......
采用偏光显微分析、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析等测试手段，对玻化砖和花岗石磨抛加工后材料表面的组成、结构和生成机理进......
在单晶硅片磨削用树脂结合剂金刚石砂轮中分别添加不同体积分数的固体润滑剂氟化钙(CaF2),评估其对砂轮表面结构、砂轮磨损量、磨......
采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现：与化学抛光后所测值相比，抛光前所测得......
单晶硅片是制造集成电路芯片最广泛使用的衬底材料,其加工质量直接决定了集成电路芯片的品质。在整个制造工艺过程中,经过多线切割......
通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使......
本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnx Te的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnx Te进行化学抛光,发现用3%的Br2-......
压电单晶材料具有重复性好、可靠性高、声表面波传播损耗小等优点,晶体基片广泛应用于换能器、滤波器、传感器等声表面波器件。随......
研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整，在光学显微镜下观察没有划伤，采用New View 50......
