快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光......

本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷（A中心）的退火行为。实验发现，经200℃热处理后样品中均会出现......