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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C^+注入后,在800~1 200 ℃高温进行常规退火处理.X......
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同......