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通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和......
研究电磁脉冲对电路的注入与辐照效应，并探讨注入法与辐照法的相关性．以引信点火电路上的关键器件可控硅为研究对象，以方波脉冲为干扰......
随着社会经济的快速发展和科学技术水平的不断提升,射频电路抗高功率微波成为现代高科技对抗领域中的重要技术手段。本文以高功率......
采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验，目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时，首先对实验数据作拟合分......
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同......
利用电子顺磁共振和红外光谱研究了ｋｅＶ级Ｎ＾＋注入到几种固态氨基酸样品中引起的分子结构损伤。结果表明，这一注入导致了分子的严重损伤：分子......
