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随着晶体管尺寸的减小,硅基器件遇到的不利“二级效应”越加难以克服,新材料的开发迫在眉睫。碳纳米管凭借特殊的结构与优异的电学......
存储墙问题是限制处理器性能提升的关键问题之一,末级缓存(Last Level Cache,LLC)作为片上系统中容量最大的缓存,是影响处理器性能......
随着计算机技术的高速发展,热功耗已然成为限制CPU性能提高的一个重要原因,如何克服它对于以后的高性能CPU设计制造务必重要。而虽......
Scaling problems and limitations of conventional silicon transistors have led the designers to exploit novel nano-techno......
模数转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC）是片上集成系统的关键部件,通过对逐次逼近逻辑电路和三值逻辑原理的研究,提出了一种......
通过对碳纳米场效应晶体管(CarbonNanotubeFieldEffectTransistor,CNFET)多阈值特性和多值逻辑原理的研究,结合移位寄存器设计方法......
通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析,结合碳纳米场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET）的特性,提出......
针对三值比较器速度慢和功耗高的问题．在研究多值逻辑电路工作原理和比较器电路结构的基础上，提出一种碳纳米场效应晶体管的新型多位......
二值信号(0,1)在集成电路领域应用较多,但由于它携带的信息量少,导致电路的布线面积增加。为减小电路的布线面积和增加其对数据的......
通过对脉冲式时序电路的研究,利用多值开关信号理论,设计基于碳纳米场效应晶体管的单边沿和双边沿三值脉冲式D触发器.该方案利用CN......
