CdZnTe晶体相关论文
三元固溶体化合物半导体材料Cd1-xZnxTe（碲锌镉,可简写为Cd Zn Te或CZT）晶体材料具有平均原子序数高、禁带宽度大、电阻率高的优点,......
新型分离结晶Bridgman法结合了传统Bridgman定向凝固法和Czochralski提拉法的优点,既能保证晶体生产过程中较低的热梯度,又能提供......
新型分离结晶Bridgman方法是一种新型的晶体生长方法,它完美结合了传统Czochralski提拉法和Bridgman定向凝固法的优点,生长出的晶......
光电子材料作为光电子学科和产业的基础和先导，一直以来是科研关注的一个重点。半导体光电子材料作为早期就投入研究的主体材料，在信......
本文运用热力学关系估算了ＣｄＺｎＴｅ 熔体平衡分压。尝试以Ｃｄ１ － ｘＺｎｘ 合金源替代Ｃｄ 源控制Ｃｄ 分压和Ｚｎ 分压进行了Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体熔体生长，探讨了熔体分压与晶体......
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe（CZT）单晶体位错分布规律.实验中选择（110）面几乎平行于径向的晶片,使......
借助有限元法,在常重力条件下对分离结晶过程进行全局数值模拟,研究了狭缝宽度及坩埚半径对CdZnTe晶体生长过程中整体传热与流动特......
为了更好地了解勾形磁场对分离结晶法制备 CdZnTe 晶体过程中熔体热毛细对流的影响,采用有限差分法对熔体内的热量和动量传递进行......
针对原有国产碲锌镉衬底加工磨料粒度分布不均匀、存在异常大颗粒等问题,根据重力沉降原理,对国产磨料进行分级处理,将分级处理后......
使用金相显微镜、推力分析仪测试等手段研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、碳膜和石英结合力的影响.获得了一个优化的镀碳工艺......
采用 Cd1－ yZny合金作退火源,对垂直布里奇曼法生长获得的 Cd0.9Zn0.1Te晶片进行了退火处 理.实验结果表明,退火后,晶片中 Zn的径向......
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.......
为了探求分离结晶技术中晶体稳定生长的控制条件，本文根据里亚普诺夫稳定性理论利用数值方法对CdZnTe晶体在地面条件下不同结晶工况......
提出并实现了用微米级空间分辨率的显微光致发光(μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片的表面亚微米层特性研究.在含缺陷区域进行微......
采用FLUENT软件对分离结晶Bridgman法生长CdZnTe晶体进行了全局数值模拟。模拟对象为：熔体上部边界条件分别为固壁和自由表面时两种......
为了了解微重力条件下新型分离结晶生长过程中熔体热毛细对流的基本特征,利用有限差分法进行了三维数值模拟。当熔体顶部分别为自......
以Cd1-yZny合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法（MVB）生长的In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行退火改性。结果表明：与退火前相比,退......
借助数值模拟手段研究了常重力条件下分离结晶法生长Cd Zn Te晶体过程中液层热毛细-浮力对流,探讨了不同勾形磁场强度和狭缝宽度对......
采用具有不同形状特征的Al2O3磨料对CdZnTe晶片进行机械研磨,研究了磨粒形状、粒径对晶片的去除速率、研磨后晶片表面形貌的影响,......
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形......
碲锌镉(CdZnTe)晶体是制作室温γ射线及X射线探测器的优良材料,晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电......
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙......
应用CdZnTe晶体作为衬底材料时,其晶向非常关键。CdZnTe晶体籽晶引晶定向生长技术能够有效提高晶体利用率。但是,受碲锌镉晶体生长......
新型分离结晶Bridgman法结合了传统Czochralski提拉法和Bridgman定向凝固法的优点,既能够保证晶体在较低的热梯度条件下进行晶体的......
分离结晶技术是最近二三十年中发展出来的一种新型晶体结晶方法,这种技术主要来源于1974年太空实验室的微重力条件下进行的Bridgma......
碲锌镉（CdZnTe）晶体探测器在室温下具有超高分辨率,所以该晶体是室温核辐射探测器的首选材料。另一方面,液相外延Hg1-xCdxTe材料是目......
研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，Cdzn......
