电子能带结构相关论文
二维材料因其独特的物理化学性质在电子、信息和能源等领域受到了研究人员的广泛关注。从石墨烯到MoS2,再到Bi2Se3和MnBi2Te4,二维......
具有电荷传输各向异性的二维（2D）层状有机-无机钙钛矿（PEA）2Sn I4具有很高的载流子迁移率,被证明是很有前途的场效应晶体管沟道材料,目......
在1983年，de Groot等人发现了一类具有Clb结构的新材料，霍伊斯勒合金NiMnSb和PtMnSb，它们的能带结构在一个自旋方向具有金属性，而在另......
自从凝聚态领域引入拓扑概念以来,物理学家们对新奇拓扑物态的探索和研究已经蓬勃发展了几十年,发现了拓扑绝缘体、拓扑半金属和拓......
通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明......
血液相容性是血液接触材料的一个关键问题，提高血液相容性对生物材料的发展和应用至关重要，而生物材料体相和表面的物理化学性质是影......
随着半导体技术的飞速发展,以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它在制造异质结构和可调式器件,以及光电设备等方面的应用,因此......
从能带理论出发,采用电子紧束缚能量色散关系,推导锯齿,扶手椅和手性单壁碳纳米管(SWCNT)的电子能带结构表达式,指出单壁碳纳米管......
本文采用基于全势线性缀加平面波方法的WIEN2K程序包和基于平面波赝势方法的QUANTUM ESPRESSO程序包计算了两种不同结构新超导体的......
石墨相氮化碳(g-C3N4)，由于其优异的热、物理及化学稳定性，来源丰富和合适的电子能带结构(2.7eV)等特点，被认为是一种廉价、稳定的可......
光电子材料作为光电子学科和产业的基础和先导，一直以来是科研关注的一个重点。半导体光电子材料作为早期就投入研究的主体材料，在信......
本论文主要目的是通过基于密度泛函理论框架下第一性原理(LMTO)和线性响应方法研究MgCNi空穴掺杂材料的磁性和晶格振动分析，MgB薄膜......
我们用第一性原理全势线性缀加平面波方法(FPLAPW)研究新型能源材料InMO4(M=Ta，Nb)及氧掺杂材料InMO4-x(M=Ta，Nb)的电子能带结构及性......
随着科技不断的发展，材料的尺度也将变得越来越小。纳米材料在科学技术上得到了广泛应用，原子尺度结构的特性也成为了当今的研究热点......
纳米碳材料,是介观物理研究领域发现的一种新型材料,也是当前凝聚态物理学研究的热点之一。因为量子限制效应,纳米碳材料显现出与......
在Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体中，氮化镓(GaN)和氮化硼(BN)具有很高的发光效率、硬度、热导率、抗辐射能力。它们在蓝绿发光元件、微电子元......
随着半导体技术的飞速发展，以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它在制造异质结构和可调式器件，以及光电设备等方面的应用，因此备......
采用第一性原理的方法计算了SrBi2Nb2O9(SBN)的顺电相、铁电相的电子结构.顺电相是间接带隙, 铁电相是直接带隙,它们的大小分别为1......
利用第一性原理赝势方法计算了Si0.875X0.125C(X=N、P、As)的电子能带结构、态密度、电荷布居数和静介电常数.计算结果表明:随着N......
碳纳米管自上世纪90年代初发现以来,已经引起了研究者极大兴趣。碳纳米管具有金属性或者半导体性取决于它的手性指数,但是手性指数......
采用基于密度泛函理论基础上的CASTEP软件包,计算了BaZrO3和CaZrO3的能带以及光学性质.计算得到BaZrO3直接带隙和间接带隙分别为3.......
采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，对Bi掺杂钙钛矿BaSnO3电子结构进行了第一性原理的研究．研究结果表明：BaSnO3是一种间接......
使用多体摄动理论研究了碱土金属氧化物CaO的电子激发态和光吸收谱.运用GW近似方法来改进DFT对电子交换关联的处理,并计算了CaO电......
在有效质量理论近似下，采用磁Kronig-Penny势场，精确求解了GaAs／AlxGa1-xAs超晶格中的电子在周期性磁场中形成的能带结构．考虑不同方向......
用第一性原理对SrBi2Ta2O9化合物第一次进行了电子结构与光学性质的理论研究.文章认为Ta-O和Bi-O的杂化是SrBi2Ta2O9铁电性的主要......
采用第一性原理广义梯度近似（GGA）下的全电势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法计算出立方相ATaO3（A=K,Na）的电子能带结构、态密度,发现了其光......
用第一性原理对SrMoO4化合物第一次进行了电子结构与光学性质的理论研究．发现SrMoO4有一个3．59eV直接带隙．Mo原子的d轨道和O原子的p轨......
利用第一性原理赝势方法计算了A0.5Ba0.75TiO3（A分别为Mg、Ca、Sr）的电子能带结构、态密度、布局分析和光学性质．计算结果表明，随着Ba......
利用第一性原理赝势方法和剪刀近似操作计算了Ba（Ti 1-x Hf x ）O 3（x=0，0.125，0.5，0.75）的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明，......
利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、E......
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷......
利用第一性原理密度泛函理论，计算了不同浓度Bi掺杂SrTiO3的电子能带结构、能态密度、布居分析。计算结果表明，掺杂Bi元素后，体系的禁......
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半......
采用广义梯度近似下的密度泛函方法对PbTiO3顺电相进行研究.计算得到PbTiO3直接带隙及间接带隙的大小分别为1.77和1.66eV,且研究了......
基于碳原子的sp^2杂化理论和能带理论，运用紧束缚近似方法计算了石墨烯的能带结构，分析了石墨烯二维电子气的性质．......
基于聚合物发光二极管(PLED)器件全色系的构想,对有机高分子共轭聚合物PPV C8H6)-n及其一种烷氧基的衍生物 C14H18O2 n用扩展H......
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了高失配三元合金ZnTe1-xYx（Y=O,S,Se）的能带结构、电子特性与光学性能.通过对半导......
考虑广义梯度近似与局域自旋密度近似，采用全势线性缀加平面波法对新超导体MgCNi3的几何结构、电子结构及光学常量进行了计算，从理论......
基于密度泛涵理论的全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法计算光催化材料InVO4的电子结构和光学常数.电子结构计算表明：InVO4价带顶由O-2 ......
采用第一性原理全势线性缀加平面波方法计算了铁电材料PbTiO3(PTo)的顺电相、铁电相的电子结构.计算表明PTO的顺电相是直接带隙,铁......
采用第一性原理,计算了钙钛矿材料BaTiO3四方相掺Fe前后的晶体结构、电子能带结构及掺Fe后的磁性质。计算结果表明：部分Fe离子替代......
采用第一性原理计算了钙钛矿材料YNiO3正交相、单斜相的电子能带结构。计算结果表明：YNiO3正交相为直接带隙,带隙大小约为0.99 eV;......
本文采用密度泛函第一性原理的理论计算方法,研究了二元化合物半导体ZnS（Se、Te）的电子能带结构、弹性及光学性质。计算得到的弹性相......
白光发光二极管(White Light Emitting Diode,简称WLED)是继白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯之后的第四代光源。由于具有节能、高......
本文针对以氮化铟和石墨烯为代表的纤锌矿半导体在电子能带结构,及其光学性质,以及它们的掺杂结构所体现出来的特殊的物理性质,进......
利用基于密度泛函（DFT）的第一性原理，计算正交相KNbO3的电子能带结构、复介电频谱图和自发极化，得到KNb03电子能带结构、介电常数以及......
In the present paper, the electronic band structure, density of states (DOS), and pro-jected density of states (PDOS) an......
