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研制了2.14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDM0s)晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键......
基于IBMSiGe0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs classE功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率......
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