横向扩散金属氧化物半导体相关论文
应变硅技术可以提升载流子的迁移率,是提高半导体器件性能的关键技术之一。自1990年代首次实现应变硅MOSFET以来,应变硅技术已被认......
如何在尽可能小的面积上设计既满足静电保护要求又没有栓锁风险的保护器件一直是高压工艺的难题。由于面积和开发的难易上的考虑，LD......
随着系统电源应用和管理装置与集成电路产业的紧密结合,高压器件已经广泛运用于4C产品(电脑、消费性、通讯、和车用电子产品)。在......
射频LDMOS功率器件因其性能、价格等方面的优势，在通讯领域被广泛应用。近年来射频LDMOS器件的输出功率不断增加，其最高功率可达到1......
本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。......
首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI......
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并......
研制了2．14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体（LDM0s）晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键......
横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件在高压静电放电（ESD）防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0．25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺......
计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续......
场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分......
在对晶体管绝对稳定性分析的基础上，根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配，成功设计出2级LDMOS微波功率放大器，P—1大......
射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等......
以横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应管射频功率放大器为例，介绍了LDMOS FET电热效应模型，理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功......
LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）由于可以承受一定的高电压、同常规CMOS平台容易兼容等特点,集成生产出的芯片兼备了耐压、低能耗、......
期刊
微波功率放大器是发射机的重要组件,它的设计成了微波发射系统的关键.文中使用ADS仿真软件对一款功率放大器进行电路设计和仿真,根......
静电放电(ESD)对集成电路(IC)及电子产品的影响日益不容忽视。随着Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺的快速发展与高压IC应用领域的扩大,......
学位
介绍了一种VHF频段宽带大功率LDMOS功放的设计方法,使用ADS仿真软件对其大信号模型的阻抗参数进行了提取,通过宽带巴伦匹配技术实......
为了满足新一代基站对功率放大器效率的要求,将开关F类功率放大器与Doherty理论相结合,并从实际应用考虑,采用LDMOS管研制了一款应......
设计了一款6载波的高线性功率放大器。在功放管绝对稳定基础上,利用Loadpu ll和Sourcepu ll技术得到管子的最佳输入输出匹配电路。......
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS-SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS......
静电放电(ESD)已成为影响集成电路(IC)及电子产品可靠性的一个主要因素。虽然传统CMOS工艺IC产品的ESD防护已得到密切关注与广泛应......
随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小,集成电路日益向小型化和高密度化发展,很容易遭受到静电放电(ESD)的影响。......
