Cu2SnS3相关论文
Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族（其中Ⅰ=Cu或Ag;Ⅱ=Zn、Cd、Ni、Co、Fe或Mn;Ⅳ=Si、Ge或Sn;VⅠ=S、Se或Te等）多元化合物具有组成元素丰富、价格低廉、......
随着时代的进步,环境污染、气候变暖、能源危机等问题日益凸显,为了摆脱这样的困境,人们一直在奋力寻找解决问题的方法,在这个过程......
近年来,热电材料在温差发热和制冷方面得到了广泛的应用,其原理是通过协调内部载流子输运来实现热能和电能之间的直接转化。然而,......
通过固相合成法制备In掺杂p型Cu2SnS3的致密块体Cu2Sn（1-x）InxS3,考察其晶体结构和电输运特性。结果表明：In置换Sn引入空穴极大地提高......
通过固相法结合放电等离子烧结法（SPS）制备Cu2Sn（0.8-x）GexZn（0.2）S3（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷块体,着重研究Ge在Sn位等电子替换对材料的晶相......
通过溶液法合成了Cu2SnS3（CTS）薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的......
一维纳米半导体材料由于其独特的物理、化学特性受到了广泛关注。首先利用在FTO透明导电基底上制备了有序且分布均匀的ZnO纳米片阵......
通过太阳电池将太阳光转换成电能是利用可持续能源的重要方式。为获得低成本,稳定和高效的太阳电池,人们迫切需要可溶液法加工制备......
能带值为0．5～O．85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战，本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0．83eV的Cu：SnS。化合物，......
使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4~2.0的金属前驱体薄膜。经过400℃、450℃和500℃硫化后获得了一......
Cu2SnS3（CTS）作为一种三元化合物半导体材料,成分无毒,元素含量丰富并且由于其合适的带隙和较高的吸收系数,很适于用作薄膜太阳电池......
Cu2SnS3纳米半导体材料具有吸收系数大(105 cm-1)、载流子迁移率高(0.4-11 V S cm-2)以及带隙与太阳光谱较匹配(0.91-1.77 eV)等优......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4),铜锡硫(Cu2SnS3)元素矿藏丰富无毒,为P型直接带隙半导体材料,光电学性质优良,是薄膜太阳电池吸收层较佳候选......
目前较为热门的薄膜太阳能电池主要有碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池和铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳能......
