氧化镓是一种具有宽禁带的新型半导体材料,得益于其良好的物理特性(具有较大的禁带宽度,较大的击穿电场强度等)以及良好的化学稳定......

在凝聚态物理中,材料的许多性质根植于空间和时间的对称性,而由于量子限域效应的存在,低维材料中对称性对材料的性质影响会更加明......

通过溶液法合成了Cu2SnS3（CTS）薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的......

Zn1-xMgxO是ZnO和MgO按照一定的组分比例形成的固溶体。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料,其晶体结构为六方纤锌矿结构,禁带宽度为......

当前噪音污染已成为危害人身健康的主要因素,各种隔声材料或结构已用于中、高频噪音的防治。然而受质量定律的限制,使用传统隔声材......

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基板上制备了Zn_（1-x）Mg_xO薄膜,研究退火温度对高Mg含量Zn_（0.5）Mg_（0.5）O薄膜的相组成、相偏析及紫外-可见......

周期性结构(声子晶体)是组成材料相或几何尺寸甚至是边界条件在空间上呈现周期性的复合材料或结构。周期性结构能够抑制特定频率范......

与体结构相比,一维纳米线材料的性质受更多因素的影响,比如化学组分、径向尺寸、轴向和径向的取向、表面特征等等。我们可以通过对......

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶......

AMX3型卤化物杂化钙钛矿材料因其可见光吸收能力强、发光单色性好、激子束缚能低、载流子寿命长和迁移率高等优异的光电性能,在太......

ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽带隙化合物半导体材料,因其优越的光电性质而受到广泛关注。更为重要的是,通过一定工艺在ZnO中掺入Mg,可调节MgZnO......