辐射加固相关论文
全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)器件作为一种新型的器件结构,凭借优良的抗辐射性能、低压低功耗等优势,越来越受到集成电路行业内的广......
工艺尺寸的缩减及供电电压的下降,使得节点电容及节点存储的电荷都变小。因此,较小的错误电荷就能使节点的逻辑状态发生变化。由于......
本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的......
综述了微机电系统(MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状,阐释了其加固技术研究的必要性.介绍了不同类型MEMS加速度计的辐射......
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设......
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存......
利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的......
介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题.辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及......
研究了一种核探测机器人控制系统设计方案。该方案在辐射加固方面进行了优化,重点描述了电路的耐辐射设计。......
进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证.该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等.每......
基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离（STI）场区抗总剂量辐射加固技术，采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高，从而......
研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性......
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照.实验发现：低注量辐照引起了体材料载流......
提出了两个抗单粒子翻转（SEU）的锁存器电路SEUT—A和SEUT—B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。......
集成电路处于太空环境下，可能会受到单粒子效应的影响。针对单粒子翻转的影响提出了一种三模时空冗余架构的设计和实现方法，通过了功......
从光纤陀螺空间应用的角度出发，利用^60Co辐照源模拟空间辐照，对光纤陀螺中的主要部件保偏光纤环进行了不同剂量率的辐照实验，得到了......
为准确评估结构异常复杂的航天器内部遭遇的辐射剂量,本文将直线近似原理和ProE工程软件相结合,自主开发了一种新型的航天器三维屏......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad（Si）剂量点时,阈值电压与关态......
高能物理实验是探索和研究物质构成与粒子相互作用的重要基础物理实验,其探测器前端的海量信息传输与抗辐照要求对高速数据传输链......
学位
我国航天事业不断前进,天基互联网得到快速发展,海量数据导致星上系统的信号处理能力亟需提升。星上系统的信号处理能力由处理器性......
ATF697FF：处理器爱特梅尔公司推出爱特梅尔SPARCV8处理器系列的新产品ATF697FF，它是能够进行即时重新配置（reconfigureon-the-fly）的RA......
对国外星载电子设备特别是常用的ＣＭＯＳ器件在空间环境下的抗辐射性能进行大量调研和长期跟踪，在此基础上总结了国外近年来对大规模集成电......
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别......
在CMOS器件发展过程中,器件尺寸不断缩小,由此人们提出了无结器件来提高小尺寸器件的各种特性。无结器件具有源/漏区域与沟道掺杂......
为了适应航天技术和航空航天工业的飞速发展,打破欧美发达国家对我国宇航用抗辐射集成电路的禁运,迫切需要对该领域开展深入研究。......
为掌握星载计算机系统级抗辐射加固技术 ,针对星载计算机的抗辐射薄弱环节 ,研究抗辐射加固措施 ,完成了 386ex三机变结构原理样机......
在超高总剂量辐射下，界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著，甚至会引起NMOS的阈值电压增加，即所谓的“反弹”现象。文......
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移，泄漏电流和32位DSP电路静态......
本文对国内外核环境作业机器人的发展历史和研究现状进行归纳、分析,总结和梳理了核环境作业机器人的共性结构和主要功能分类。基......
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光纤陀螺中保偏光纤环因受辐射影响使其损耗增加，从而影响到光纤陀螺的精度，限制光纤陀螺在空间应用。对光退色现象从理论和实验进行......
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随着航空航天工程的不断发展,空间仪器需要在辐射环境中大量应用。空间辐射环境含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互......
从电路结构入手,分析了工作在某空间光学遥感器中的Flash存储器在空间环境下由电离辐射(总剂量)效应造成器件失效的机理。认为电离......
为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足,利用TCAD及SPICE软件,探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的......
硅-硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移,导致硅片加工......
在太空等辐射环境条件下,数字集成电路内部的触发器受到辐射效应影响,易发生单粒子翻转错误。本文提出了一种数字电路触发器自动冗......
简要介绍了硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器件结......
近年来,半导体技术得到了快速地发展,CMOS工艺尺寸不断缩减,使得受辐射影响的集成电路设备的可靠性面临更加严峻地挑战。此外,随着......
为了设计出抗辐射加固的DC-DC开关电源振荡器,其中SR锁存器的抗辐射性能至关重要,提出了一种新颖的抗辐射加固SR锁存器电路.该抗辐......
空间辐射环境是遥感相机失效的主要原因之一。为了提高CCD遥感相机的可靠性,本文研究了改善遥感电子器件抗辐射性能的方法。介绍了......
电源芯片的稳定性对功能电路的性能有很大影响。随着航天、航空和核能等应用的飞速发展,越来越多的电子系统需要工作在辐射环境中,......
随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统......
SRAM是航天电子系统中关键的辐射敏感芯片。当前,CMOS集成电路工艺已推进到16nm,器件结构演变为三栅结构的FinFET,由于器件结构发......
随着电子科技的发展,电子设备逐渐向高效率,小体积方向发展,因此电源设备有了新的发展。同时空间科学和军事技术以及核工业的发展,......
