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钙钛矿过渡金属氧化物材料因具有高缺陷迁移速度、低缺陷迁移势垒的特点,在高性能存储器件领域极具研究空间。钙钛矿结构的Sr Co O......
忆阻器是电路中的第四种基本元件,具有尺寸小、功耗低、速度快、寿命长等优良的性能,在信息存储、逻辑运算、仿生突触、人工神经网......
本文报道在InP:Fe中皮秒二波耦合的实验研究.文中测量了瞬态二波耦合增益随泵浦光与探测光相对延迟时间改变而变化的曲线,分析了瞬......
薄膜晶体管(TFT)是当今平板显示领域中不可或缺的电子元器件之一。随着显示技术向着大尺寸、超高分辨率、3D显示等方向不断发展，传......
结合脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)和直流(DC)磁控溅射方法成功制备了Pt/VOx/Pt/SiO2/Si阈值开关器件(TS),VOx薄膜厚......
可溶液加工的有机小分子半导体材料具有分子结构明确、空气稳定、易提纯以及性能优异等优点,成为有机电子学研究的热点之一,特别是......
人们对下一代高存储密度、低功耗与高速非易失性存储器的需求,极大地刺激与推动相关新型功能材料的研究。钙钛矿型氧化物BiFeO_3(B......
自从石墨烯被发现以来,硅烯、锗烯、锡烯等其它IV族元素的二维材料成为了凝聚态物理的研究热点。尤其是,锡烯具有室温量子自旋霍尔......
紫外传感器在光学通讯、环境检测和空间研究具有潜在的应用价值,设计和制作高性能的紫外传感器迫在眉睫。铁电材料是一种新型的功......
ZnO是一种具有纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体功能材料,室温下的禁带宽度达到3.37eV,激子束缚能高达60meV,成为制备下一代的短波......
平地机灯光用于其夜间施工和行车照明,以保证其施工和行车安全。平地机配置了转向灯、远光灯、近光灯、示廓灯、报警灯、工作灯、......
通过微电子加工工艺制备了具有Ti/HfOx:Cu NPs/ZnO/ITO结构的阻变存储器,研究铜纳米颗粒对器件阻变性能的影响.研究表明,铜纳米颗......
Considering some characteristics of large-scale standing quench furnace, such as greatheat inertia, evident time lag, st......
为了在低温温度标定系统中实现超宽温区控温,研制了一种以电磁力驱动的主动机械式热开关,相比常规的气隙式或者材料热胀冷缩式热开......
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50 A/cm-......
介绍了4He气隙式热开关的工作原理及其理论传热模型。通过计算分析了不同设计参数和材料选择对热开关开关比的影响,并通过实验验证......
将明胶涂覆在表面经过取向处理的带有 ITO电极的玻璃基板上,以紫外灯为光源,通过光掩模法,使明胶在光场的引发下发生光化学反应,样......
金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)反熔丝器件常被用于现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的互......
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质，并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K（杂质层电流／感应层电流）对OTFT开关比......
针对空间热开关在深空探测器热控制、空间制冷机等航天器热控制领域中的重要应用,本文综合评述了空间热开关的概念、分类情况、结......
导电聚合物因为可以大面积成膜、器件制作工艺简单，近年来在有机场效应晶体管的研究中受到越来越多的关注。有的聚合物场效应晶体管......
从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱(Multi-Quantum-Well,MQW)双区共腔(Common Cavity Tandem Section, CCTS)结构半导体激光器......
通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电......
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx：H和a-Si：H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx：H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研......
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在过去的二十年中,有机电子器件的重要性得到了广泛的重视。基于有机半导体材料的电子器件已被证明可以广泛地应用于发光二极管、......
低温热开关是研制空间机械制冷备份系统必须解决的关键技术之一,低温热开关形式多种多样,开关比是决定其性能的关键指标。只有在开......
摘要：碳有众多的同素异形体。其中碳的一维纳米材料碳纳米管一直是兴趣焦点,在近二十年来倍受世人瞩目。近年来,碳材料的研究出现新......
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有......
石墨烯晶体管因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。针对不同结构的石墨烯晶体管在电学特性上存在差......
为了使集成电路按照摩尔定律继续发展下去,新工艺、新结构与新材料等在半导体器件中得到了应用。高迁移率器件就是在新材料方面的......
介绍了脉冲波形占空比的 3种数字化测量方法 ,它们分别是直接脉宽测量法、幅值统计测量法和平均值测量法。讨论了主要的不确定度来......
为了满足下一代光电器件的需求,人们开始了对于新型存储器的广泛研究。基于有机/聚合物材料制备的电双稳器件因其制备工艺简单,成......
当前,显示技术迅猛发展,大尺寸、柔性化以及透明化显示器已成为重要的研究热点。传统的非晶硅材料迁移率低、透光性差,无法满足显......
学位
薄膜晶体管(thin film transistors,TFT)是平板显示领域不可或缺的关键部件。以氧化锌(ZnO)为代表的金属氧化物薄膜晶体管以其迁移......
随着无机纳米材料合成技术的不断改进,制备的纳米材料的性能得到大幅度的提高。如何利用高性能无机纳米材料得到性能优良光电器件......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)广泛应用于显示领域,随着人们对显示器件尺寸和性能需求的提高,非晶硅TFT因迁移率太低(小......
随着微电子技术的发展,晶体管的特征尺寸越来越小,集成电路的规模也越来越大,采用传统的等比例缩小原则提升集成电路性能的方法越......
有机场效应晶体管(OFET)是以有机半导体材料为有源层的晶体管器件,由于具有成本低、可实现大面积加工、可与柔性衬底集成等优势,在......
近年来,随着多晶硅TFT技术的不断发展,其应用也越来越广泛,并被视为a-Si TFT的理想替代品。相对于a-Si TFT, poly-Si TFT有其明显......
