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由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新型石墨烯FET器件以提高器件开关比,并通过改善石墨烯与基底界面接触来提高石墨烯FET器件的载流子迁移率的工艺方法.
一种基于量子隧道效应提高石墨烯FET开关比的方法
【摘 要】
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由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新
【机 构】
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微电子学院,复旦大学ASIC和系统国家重点实验室,上海邯郸路220号200433
【出 处】
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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术
【发表日期】
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2016年期
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