FeFET相关论文
基于铁电材料极化模拟的相场模型,结合半导体器件方程建立了金属-铁电-绝缘层-半导体结构铁电场效应晶体管(FeFET)性能研究的理论......
,Recent progress on integrating two-dimensional materials with ferroelectrics for memory devices and
Two-dimensional (2D) materials,such as graphene and MoS2 related transition metal dichalcogenides (TMDC),have attracted ......
铁电存储器是将铁电材料集成于半导体存储器的新型存储器,由于材料的特性它同时具有高速、高密度、低功耗和不挥发的优点.铁电存储......
以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射......
铁电场效应晶体管（FeFET）存储器因其低功耗、高读写速度、非挥发性、抗辐射、高集成度和非破坏性读出等优点,被认为是最有潜力的下一......
铁电场效应晶体管(FeFET)是构成铁电存储器的基本存储单元,具有优良的抗辐射性能、高存储密度、低功耗和与集成电路工艺兼容等众多......
铁电场效应晶体管(FeFET)作为最潜力的铁电存储器之一,因其具有非破坏性读取、高集成度、抗辐射等优点而受到研究者的广泛关注。目......
