反相器相关论文
某型装备在进行遥测信号采集分析时发现测试转阶段断电瞬间，引信执行级“动作（t）”信号异常跳变。该文针对引信出现该异常“动作（t）”信......
期刊
二维过渡金属硫族化合物（TMDC）凭借着其原子级的厚度和优异的半导体性质成为后摩尔时代最有希望延续摩尔定律的材料。硫化钼（MoS2）是其......
集成电路的发展一直遵循摩尔定律快速前进,随着晶体管的数量不断增加,同时芯片的性能也在不断提高。目前集成电路的尺寸已经进入纳......
以InGaZnO为代表的氧化物半导体薄膜晶体管具有电子迁移率高、截止电流低、稳定性强、均匀性好、可见光透明和制备温度低等诸多优......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
人类探索太空取得的成就与集成电路技术密不可分,卫星、飞船以及星际探测器等航天器中的系统都是由集成电路实现的。处于宇宙中的......
整流器是将交流信号转变为直流信号的器件,在逻辑电路、电力传输等领域有着重要应用。当前,市场上使用的整流器主要是通过硅基PN结......
近年来,石墨烯材料在电子元器件领域的应用研究逐渐受到广泛关注,包括晶体管、柔性电子器件、气体传感器、电容器、存储器等方面。......
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半......
作为电子系统中重要的接口模块,模数转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC）被应用于各类电子设备之中。随着半导体制造工艺和集成......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
采用通用集成电路设计了一种三相可控硅触发电路．该电路利用同步信号的积分与移相信号比较产生触发脉冲，抗同步信号的高频干扰和波形......
为了降低传统增量型Σ-ΔADC在同精度情况下的量化时钟周期数,提高转换速率,提出了1种采用粗细量化的2步式增量放大型ADC.该ADC采......
摘 要：CMOS反相器作为集成电路最基本的门电路，是电子科学与技术、电子信息工程、集成电路设计等专业学生的必备知识与技能。MOS反相......
随着集成电路特征尺寸的逐渐缩小,MOSFET发展受到了严重限制,同时芯片功耗与性能之间的矛盾也日益突出。为了解决芯片功耗与性能之......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为平板显示设备中的核心开关元件,其重要性不言而喻。目前,基于金属氧化物半导体的TFT由......
由于短沟道效应,硅基半导体器件的发展即将接近预测的5nm极限尺寸。石墨烯的发现引起了新型二维层状材料的研究热潮。因为二维材料......
基于航空航天领域对空间探测的需求,集成电路面临着工作环境充满宇宙辐射的挑战。一方面,宇宙环境中的各种高能粒子会造成电路失效......
二维过渡金属二硫化物(2D TMDs)由于其原子层厚度、合适的带隙和较高的迁移率等优点而被认为是应用于消费电子产品领域的高潜力候......
学位
为使无线电话机增加通话距离,改善通话效果,我们设计试制的主台天线系列,系全向高增益共轴天线阵。经试用,四元天线于180km台距各......
针对独立三栅FinFET器件及其反相器的单粒子瞬态效应展开了深入研究.首先分析了N型独立三栅器件中最敏感区域的位置以及不同工作电......
在无线通信、雷达、电子对抗等微波系统中,功率分配器是一种广泛使用的微波元件。传统的Wilkinson功分器只能工作在单一的频段及其......
1 FMSD型防火门自动闭门释放器FMSD型系列产品包括FMSD-5和FMSD-7型防火门自动闭门释放器,以及与其配套的SXQ型顺序器(带去盲角)......
针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特......
期刊
制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电......
本例描述了一种采用小型微控制器传感器模块的电路,它只有三个连接：5Vdc、一个RS-232传输数据输出端、地。专用的单电压电平转换器......
通过对神经MOS管特性的研究,提出了一种阈值可控反相器的设计方案。该反相器在结构上与普通CMOS反相器相似,由一个神经MOS管和一个......
本文研究了不同结构的石墨烯纳米条带（GNR）隧道场效应晶体管（TFET）应用于反相器的性能。主要是在HSPICE中构建逻辑电路，并且基于Verilog......
为了设计高可靠性标准单元库的性能参数，需要对其最基本的单元模块反相器的性能参数进行研究．平衡考虑延时特性、噪声容限和功耗等方......
为了提高音频功率放大器的音质,除了简化功率放大器的电路、减少元器件的数量之外,采用高质量的元器件也是其主要方法之一.......
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随......
本文介绍了在无图纸资料的情况下,对B超机轨迹球电路板的修复...
传感器信号传输时由于信号线间的电磁耦合产生不可避免的串扰。信号线间串扰严重影响信号线系统信号完整性。针对传感器信号线间串......
结合单电子晶体管的FV特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想，设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单......
本文针对全差分跨导放大器电源电压偏高、功耗较大,以及常规伪差分跨导放大器增益和共模抑制比不高的问题,采用带反相器和共模前馈......
通过分析影响双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS......
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构.该全加器优点为:简化......
RTD与HBT是高频高速器件，共振隧穿二极管．异质结晶体管（RTD-HBT）环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器......
为了实现可见光传输信号的接收，并尽可能减小接收机的体积，适应不同亮度下的传输，利用0．18仙mCMOS工艺，自主设计光探测器、跨阻放大器、......
提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚......
以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射......
随着数字电路的发展，△I噪声正逐步成为数字电路中的主要噪声源之一。从数字设计的核心——反相器入手，系统分析了，TTL和CMOS中△I噪......
