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众所周知航空航天技术是国之利器并且正在高速发展,全世界有越来越多的航天器被送入太空中,而太空中存在大量的辐射,这些辐射会对......
随着半导体工艺特征尺寸进入纳米量级,进一步减小晶体管沟道长度越发困难。为了继续提升集成电路性能,半导体产业界一方面通过鳍式......
在半导体产业发展中，随着器件栅长的不断缩小，传统的平面型器件的栅控能力会出现退化，器件开始出现短沟道效应。与平面型器件相比，三维......
集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长,量子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄......
目前的集成电路特征工艺已推进到14nm，器件结构发展为三栅FinFET，考虑到FinFET器件结构与传统平面器件的差异性，SRAM作为电子系统中的......
随着晶体管尺寸的不断缩小,当传统CMOS晶体管的尺寸缩小到20nm以下时,一方面器件的漏电流会急剧加大,漏功耗所占总功耗的比例变大;......
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