SOI衬底相关论文
该文首先讨论SOI衬底上的薄膜的形貌稳定性.我们建立了一个连续模型去研究生长在柔性衬底上的薄膜的稳定性.从时间依赖的线性稳定......
讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传......
分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
比较了SOIRF电感与体硅电感的性能，并根据模拟结果分析了电感中空面积，电感形状结构，金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率......
利用分子束外延生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,成功制作了GaAs SOI衬底,并在其上生长了PHEMT材料结构......
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区......
