SOI衬底相关论文
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结......
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结......
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-i
The tensile strained Ge/SiGe multiple quantum wells(MQWs) grown on a silicon-on-insulator(SOI) substrate were fabricated......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
该文首先讨论SOI衬底上的薄膜的形貌稳定性.我们建立了一个连续模型去研究生长在柔性衬底上的薄膜的稳定性.从时间依赖的线性稳定......
由于集成电路具有体积小、功耗低、成本低的特点,无线通信技术的蓬勃发展促成了射频集成电路(RFIC)的迅速发展.当前,射频集成电路......
随着智能功率集成电路逐渐向大功率、低功耗、高集成度方向发展,对半导体衬底材料和器件性能提出了更高的要求。SOI衬底结合沟槽技......
论文包括以下几方面内容:1.利用分子束外延设备生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,将AlAs层转变为AlO绝缘......
硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要......
讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传......
分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
比较了SOIRF电感与体硅电感的性能，并根据模拟结果分析了电感中空面积，电感形状结构，金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率......
据EE Times报道，北爱尔兰SOI衬底制造商IceMOS Technology Ltd日前开发了一种全新的贯穿晶圆互连技术（through-wafer interconnect t......
利用分子束外延生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,成功制作了GaAs SOI衬底,并在其上生长了PHEMT材料结构......
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该......
完全耗尽型SOI、红外对准．硅片间的低温氧化物键合以及高密度的3-D通孔等技术被成功地结合起来，用于3-D可视成像仪和雪崩光电二极管......
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区......
