GAAS量子阱相关论文
随着半导体纳米技术的发展，人们对于高度集成化光电器件的潜在需求不断增大，具备优越物理、化学性质的III-V族化合物半导体纳米线开......
为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生......
报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被......
电子自旋为半导体电子器件提供了一个新的操控自由度，期待与电荷自由度组合，发展新一代低功耗、高集成度的纳米电子器件-自旋电......
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴......
半导体自旋电子学是凝聚态物理学的一个重要特色，此学科将半导体技术和基于自旋的量子效应结合起来，它不仅丰富了物理学研究内容，而且......
在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm－1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电......
基于二能级体系的速率方程,获得了非完全初始自旋偏振极化条件下的自旋偏振向上和向下载流子布居弛豫的解析解. 基于小信号近似,给......
结合声表面波和光致发光谱在低温(15 K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的......
报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ,利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底......
在Ｔ＝７７Ｋ，测量了ＧａＡｓ多量子阱的光电流，发现在ｖ＝１３１２ｃｍ＾－１附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向......
为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响，提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬......
在有效质量近似下，通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程，得到了温度不为零时Si δ掺杂的GaAs量子阱系统的电子态结构。研究了温度......
