GaInAs相关论文
金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 与一个新奇多级式的缓冲栈计划的介绍在 n 类型硅底层上种的变形 Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As......
Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organ
我们在场与一个有效多级式的缓冲计划的介绍在 n 类型硅底层上用 Metalorganic 化学蒸汽免职(MOCVD ) 种的一只 InGaAs 变形高电子......
研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带......
GaInAs 材料在光电器件和电子学器件方面的应用,促使人们对这种材料的生长进行了大量的研究。在一些实验室里,用低温光致发光的方......
ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结构隔离栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）中的栅电流＝ＧａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｉｎＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｓｕｌａｔｅｄ－ｇａｔｅｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＩＧＦＥＴ...
Gate Current in AlInAs / GaInAs Heterojunction Isolation Gate Field Effect Tran......
用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨......
<正> 用GaAs/Al_(0.32)Ga_(0.68)As,In_(0.15)Ga_(0.85)As/Al_(0.15)Ga_(0.85)As和Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_(0.48)In_(0.52)As三......
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺。应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法，成功地制作出了80μm厚的超薄GaInP／GaInAs／Ge结构的太阳......
本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对......
我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光......
<正>2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率......
2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强......
