在PDP技术中,MgO 的关键作用已经被认识.二次电子的高释放能力,低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP 中.然而,在 PDP 的生产......

In this paper, the gettering of Cu impurities in silicon-on-insulator (SOI) materials is studied. Nanovoids are formed i......

Al precipitates as well as cavities (or open-volume detects) are known for their ability to getter impuri-ties within Si......

y layer in Si was investigated by cross section transmission electron microscopy and auger electron spectroscopy....

高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金......

主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化.结果发现,经过870%磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流......

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多......

综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状。评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西......

对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂，铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究，用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）和太阳电池效率测试系......

本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键盒介面的吸杂试验，分析了......