磷吸杂相关论文
少数载流子寿命仪是表征半导体材料质量的一个重要参数.本文主要研究了不同部位的铸造多晶硅硅片在磷吸杂前后以及氮化硅沉积前后......
本研究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,......
对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析......
磷吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段，本文比较了三种磷吸杂工艺对两种质量硅片的体寿命变化，及其电池性能的影响。实验......
本文采用卤灯光照，微波光电导衰减仪（MWPCD）测试对铸造多晶硅的光致衰减进行了研究。首先比较了铸造多晶硅与CZ 单晶硅的衰减，前者衰减......
本文研究了太阳能电池生产工艺中,在磷扩散制备PN结时,磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响。多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质,......
对具有位错的单晶硅太阳电池进行磷吸杂的研究并与无位错的电池片进行对比，位错片具有较明显的吸杂效果。对吸杂工艺的作用进行了分......
太阳能是取之不尽的重要新能源.在所有太阳电池材料中,晶体硅占据了80％以上的市场份额,是制造太阳电池最主要的基础材料.为了降低成......
化石能源的快速枯竭,人们越来越认识到发展可再生能源的重要性和迫切性。太阳电池得到了广泛的关注。但光伏产业在我国现状:有产业......
针对冶金硅纯度较低的问题,采用短时间浓磷扩散吸杂工艺来提高原始冶金硅片的少子寿命。研究不同时间、温度、磷源流量吸杂对冶金......
利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响.实验发......
采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为......
主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化.结果发现,经过870%磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流......
采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为......
应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶......
采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的......
本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验,通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺,去除低......
文章简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷——铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用......
用微波光电导衰减仪（μ-PCD）研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现：变温吸杂明显优于......
研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs......
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后......
光伏发电是近年来发展最快的可再生能源技术之一,而晶体硅太阳电池占据了全球光伏市场90%以上的份额。硅材料尤其是多晶硅材料内的......
用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的磷吸杂处理对铸造法多晶硅片和冶金法多晶硅片少子寿命的影响。实验发现:冶金......
近年来,利用太阳电池发电受到了人们的日益重视。晶体硅材料是太阳电池的主要材料,其性能的好坏直接影响着电池最终的转换效率。磷......
