硅片键合相关论文
近几十年来,在硅（Si）基金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）尺寸等比例缩小的推动下,集成电路性能得到了蓬勃发展。进入深亚微米技......
硅片键合技术作为一种将表面硅微机械加工和体硅微机械加工有机结合的工艺,是目前微机械加工的研究热点。而电射流打印作为最具潜......
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等
The direct bonding process, bond......
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大......
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,......
为了将硅片与硅片有效的键合在一起,研发了一款硅片键合设备。介绍了硅片键合原理及硅片真空键合设备的主要技术指标、设备结构、......
本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键盒介面的吸杂试验，分析了......
提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型.接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化.Airy应力函数给出了满足键合......
在Si／Si之间采用Ti／Au金属过渡层，实现了Si／Si低温键合，键合温度可低至414℃．采用拉伸强度测试对Si／Si键合结构的界面特性进行测试，结果表......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
