Ge沟道pMOSFET 相关硕士博士期刊学术论文

基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道......