阈值电压模型相关论文
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值......
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道......
目前的Spice软件可以模拟Si器件及其电路,然而在功能强大的Spice软件中尚没有应变Si/SiGe MOS器件的模型,因此,不能进行应变Si/SiG......
阈值电压是MOSFET的特别重要参数之一，阈值电压会直接影响到器件沟道的反型和器件的工作电压。对于小尺寸的器件来说，如果沟道掺杂过......
为得到适用于VLSI电路仿真的模型，本文从器件的物理机制出发，采用解析的方法，重点研究并建立了应变硅表面沟道N／P MOSFET和量子SiGe沟......
