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H3PO4腐蚀法相关论文
Si基LED材料位错与器件钝化研究
相对于蓝宝石和SiC而言,Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配,Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更......
学位
Si衬底
GaN基LED
SiN钝化膜
位错
H3PO4腐蚀法
晶向偏离硅衬底上GaN材料特性及位错研究
近年来,GaN基LED在晶体生长、薄膜生长和器件制备等技术方面已取得重大突破,并已被广泛应用到景观照明和背光显示等领域,但距离真......
学位
Si衬底
切偏角
GaN位错
H3PO4腐蚀法
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