切偏角相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

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单晶硅衬底偏角对锗薄膜沉积生长的影响

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锗薄膜单晶硅衬底硅锗缓冲层切偏角磁控溅射

晶向偏离硅衬底上GaN材料特性及位错研究

近年来,GaN基LED在晶体生长、薄膜生长和器件制备等技术方面已取得重大突破,并已被广泛应用到景观照明和背光显示等领域,但距离真......

学位

Si衬底切偏角 GaN位错 H3PO4腐蚀法

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