Pressure-induced electrical transport properties of InN including electrical resistivity, Hall coefficient,carrier conce......

Al x Ga 1-x N/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures with Al composition ranging from x = 0.13 to 0.36 ......

在原理上使用霍尔效应进行电流检测;在结构上使用差动磁路进行了温度的修正,使用CMOS技术拥有更高的集成度;在精度上使用STM32单片......

采用线性霍尔电路和永磁体,基于悬臂梁弹性体系统,研制了一种霍尔式肌张力换能器。2个线性霍尔电路以永磁体为对称中心,构成对称互......

给出了载流子迁移率的各种测量方法,渡越时间（TOP）法、霍尔效应法、电压衰减法、辐射诱发导电率（SIC）法、表面波传输法、外加电场极性......