The resistivity of Hg0.89Mn0.11Te has been measured by the superconducting quantum interference device magnetometer in t......

The magnetization of Hg0.89Mn0.11Te single crystal grown by vertical Bridgman method was studied by using superconductin......

利用 ＡＣＲＴ—ＶＢＭ法生长 Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火，实现了晶片的反型......

根据Hg1-xMnxTe的光学吸收光谱,用Kana模型详细分析了重空穴和导带间的直接跃迁导致的本征光吸收。研究表明当光吸收系数α......

The effect of surface damaged layer and Te enrichment layer of Hg1-xMnxTe on the indentation size were studied experimen......

利用ＡＣＲＴ－ＶＢＭ法生长Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价，为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型，Ｈａｌｌ电......

采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现：与化学抛光后所测值相比，抛光前所测得......

Hg1-xMnxTe是由二价磁性离子Mn2+部分取代HgTe晶格中的Hg2+形成的三元稀磁半导体。零磁场时，Hg1-xMnxTe的电子能带结构及其它半导体......

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......