电学参数相关论文
近几年来,因用电安全问题导致的各类安全事故屡见不鲜。与此同时,随着科学技术的不断发展,用电器的种类越来越纷繁复杂,简易地检测......
以保护物种齐口裂腹鱼（Schizothorax prenanti）、大渡河软刺裸裂尻鱼（Schizopygopsis malacanthus）和黄石爬鮡（Euchiloglanis kishinouy......
基于电学特性的水果无损检测技术可应用于水果品质的定量评价和筛选分级,在果品品质检测方面已有了较多的研究报道.该文基于几种常......
为了探究不同电学参数的拦鱼电栅在静水条件下对草鱼幼鱼[体长（10.22±2.01） cm、体质量（34.25±3.62） g]趋避行为的影响,实验构建了一......
回顾了三种主要外延技术即:LPE、VPE(MOVPE、ISOVPE)和MBE生长的外延HgCdTe薄膜材料在各种不同条件热处理的实验结果,总结了热处理......
会议
利用ANSYS耦合场单元电压自由度模拟了石英振梁谐振器电极结构，通过静态分析、模态分析和热弹阻尼分析计算得到谐振器的等效电学参......
为获得包含布拉格反射器的太阳电池在电子辐照下的退化规律与机制,利用光学膜系软件Macleod设计出适用于晶格失配的GaInP/Ga(In)As......
提出一种既有赖于周期权重又依赖于开态电学参数的权重的混合灰度方法,这种方法可以驱动4K显示分辨率的AMOLED。文中根据n位图像数......
以功率半导体器件为核心的电力电子技术，在特高压直流输电、高铁、电动汽车、可再生能源发电和5G通信为主要应用场景的新兴行业将振......
近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电......
在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上， 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行......
原电子工业部第46研究所长期承担抗辐射加固硅单晶制备技术研究任务,曾取得一系列成果,其研究水平和产品均居国内领先,是我国唯一......
尖晶石型结构的氧化物是一类常用的热敏材料和半导体磁性材料。其导电机理的研究,对提高热敏元件和磁性材料的性能很有意义,也能......
为探究电学参数对自供能磁流变阻尼器的影响,首先建立了含整流电路的自供能磁流变阻尼器电路模型,推导电路的频响函数,减小发电模......
目的对比希氏束-浦肯野系统起搏与右心室流入道间隔部起搏对老年人的治疗效果,从而为患者治疗选择提供依据。方法选择本地三甲医院......
为解决自制直流高压发生装置电学参数测试的科学性和准确性,通过研制的自制直流高压发生装置电学参数测试系统,对样品的常见电学参......
期刊
致密砂岩岩电参数的准确性有助于提高测井解释精度,然而,致密岩石孔喉非均质性导致不同岩电实验方法在岩心中建立含水饱和度分布存......
反应的产物,除固相的氧化物外,还有和剩余的水蒸气混在一起的氯化氢气体。气体反应物具有腐蚀性,因此应该把它从反应区清除掉。生......
采用电穿孔基因转移技术向Ψ－２细胞内导入ＥＢＶＬｍｐ一ｎｅｏ基因，通过Ｇ４１８筛选获得８６个抗性克隆。用ＰＣＲ检测进一步确定了外源基因在抗Ｃ４１８克隆中稳定的整合。研究了......
本研究将爪蟾卵母细胞暴露于黄嘌呤氧化酶－次黄嘌呤（ＸＯ－ＨＰＸ）反应系统，观察自由基对细胞膜及其乙酰胆碱（Ａｃｈ）受体的损伤，结果表明，在自由基的作用下膜......
目的:探索电致孔条件下不同电学参数(电压、波形、脉冲宽度、脉冲次数)对栀子提取液透黏膜给药的影响。方法:用中药电致孔给药仪产......
一、问题的提出电阻率是硅单晶重要的电学参数之一,但是在电阻率测量中,尤其是高阻单晶,测度数据往往不稳定,其重复性也甚差,通常......
本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参......
一、前言 少子寿命是硅单晶的重要电学参数之一,它反映了硅材料的质量并与器件的质量有着直接的关系。由于硅单晶热处理后引起少......
1971年前后,由于黄金供应困难,同时受到大功率管普遍采用的是镀镍管座的启发,中功率管采用镀镍管座代替镀金管座,经数年来的使用......
研制多元碲镉汞红外探测器关键之一是制造均匀性好、电学参数好、大面积的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其中x值要在0.2以满足制造军事上......
本文首次利用AES和XPS分析了闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜及其界面组成,其主要成分是Ga_2O_3和元素As,少量的As_2O_3分布在氧化......
本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结......
本文详细地综述了美国蒙桑托公司和西德瓦克公司的用于VLSI及ULSI的硅片标准.其中包括几何参数、结构参数、化学参数和电学参数.
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通常由饱和区的霍耳系数和电阻率计算P型HgCdTe样品的空穴浓度和迁移率: R=3π/8·1/ep, (1) σ=peμ_(ho) (2)对在液氮温度下工......
一、 引言 非晶硅(α-Si)肖特基二极管是最基本的太阳能电池,但要从理论上计算其电学参数是比较困难的,因为必须知道材料能隙中的......
利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,......
本文用表面光伏方法和计算机拟合技术,在21—320K温度范围内得到N-GaAs的重要电学参数L_p、μ_p、n_0、S和V_(SO)的温度关系曲线。......
本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最......
致密砂岩气藏在开采时因地层能量衰竭导致有效应力增加,储层物性相应地发生变化,其电学参数也随之改变.以往在常规围压下进行的岩......
利用自制多功能微弧氧化(MAO)电源对处在胶体中的工业纯钛表面进行了MAO处理,比较系统地研究了电压脉冲的峰值(U)和占空比(d)对膜......
在机械工厂中铜合金的分析数量较多,采取化学分析的方法手续较繁杂,周期较长。面临这种情况,我们采用光谱分析的测定方法进行了试......
本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度......
利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片......
利用ANSYS耦合场单元电压自由度模拟了石英振梁谐振器电极结构，通过静态分析、模态分析和热弹阻尼分析计算得到谐振器的等效电......
用于电压基准的约瑟夫森结量子器件基本特性的测量可用来检测器件的电学参数是否达标，并且对约瑟夫森结的制作工艺提供合理的指......
