Hg3In2Te6单晶相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

Hg3In2Te6单晶相关论文

Au/n-Hg3In2Te6肖特基接触电学特性及抗辐照性能研究

碲铟汞（Hg3In2Te6,以下简称MIT）是一种可用于制备近红外非致冷光电探测器的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较高的光导量子效率、良好......

学位

Hg3In2Te6单晶肖特基接触表面处理功函数中间层价带带阶势垒高度界面缺陷能级 γ射线辐照 Ⅰ-Ⅴ测试

看过本文同时还关注