价带带阶相关论文
NiOx为宽带隙p型半导体材料,其能带结构更适于用作c-Si(n)异质结空穴传输层.为了简化问题,本文研究了NiOx与Si构成的单面异质结无......
采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/Alx......
该文介绍应变层异质结Ｓｉ〈，１－ｘ－ｙ〉Ｇｅ〈，ｘ〉Ｃ〈，ｙ〉／Ｓｉ（００１）价带带阶（ＶＢＯ）如何随碳含量变化的最新理论计算结果。采用从头算赝势法先计算该应变层异质结体系的电......
采用基于ＬＭＴＯ－ＡＳＡ的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了两组晶格匹配三元合金异质结（ＡｌＰ）〈，ｘ〉（Ｓｉ〈，２〉）〈，１－ｘ〉／ＧａＰ和（ＧａＰ）〈，ｘ〉（Ｓｉ〈，２〉）〈，１－ｘ〉／ＧａＰ的价带带阶△Ｅ〈，υ〉......
本文从第一原理出发，用Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格（ZnSe)n/(Si2)n(110)(n=2-7)进行自洽计算，在此基础上采用冻......
<正>半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是......
采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带价值△Ｅｐ（ｘ）研究表明，△Ｅ（ｘ）值随衬......
采用基于ＬＭＴＯ－ＡＳＡ的平均结合能计算方法，研究了在ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ衬底上沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ的价带带阶值。研究表明，应变的结果使价带带阶随衬底组......
采用基于ＬＭＴＯ－ＡＳＡ的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（ＧａＡｓ）ｘ（Ｇｅ２）１－ｘ／ＧａＡｓ，（ＡｌＡｓ）ｘ（Ｇｅ２）１－ｘ／ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的价带带阶△Ｅｖ（Ｘ）值，研究表明，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结的△Ｅｖ（Ｘ）值随......
用线性Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨 道能带计算方法对匹配超晶格（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（ｎ＝２－５）系统进行超元胞自治计算。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为１．４４ｅＶ。（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（１１０）超晶格的光吸收峰结合......
采用基于ＬＭＴＯＡＳＡ的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了两组晶格匹配三元合金异质结（ＡｌＰ）ｘ（Ｓｉ２）１－ｘ／ＧａＰ和（ＧａＰ）ｘ（Ｓｉ２）１－ｘ／ＧａＰ的价带带阶ΔＥｖ（ｘ）值。研究表明，两组异质结的ΔＥｖ（ｘ）值......
构成集成电路的主要元件–晶体管尺寸进入45nm工艺节点后，栅介质氧化物的等效氧化层厚度（EOT）要求小于1nm，也就是几个原子层的物理厚度......
碲铟汞（Hg3In2Te6,以下简称MIT）是一种可用于制备近红外非致冷光电探测器的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较高的光导量子效率、良好......
ZnO是本征n型宽带隙半导体,直接带隙,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,且电子迁移率较高,在光电器件领域具有广阔的应用前景......
ZnO作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材料,具有3.37eV的禁带宽度,且其激子束缚能高达60meV,使得ZnO成为制备蓝/紫外光光电器件......
