构成集成电路的主要元件–晶体管尺寸进入45nm工艺节点后，栅介质氧化物的等效氧化层厚度（EOT）要求小于1nm，也就是几个原子层的物理厚度......

碲铟汞（Hg3In2Te6,以下简称MIT）是一种可用于制备近红外非致冷光电探测器的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较高的光导量子效率、良好......

ZnO是本征n型宽带隙半导体,直接带隙,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,且电子迁移率较高,在光电器件领域具有广阔的应用前景......

TB34 2002032291紫外光固化涂料的研究现状=Research status of UVcuring coatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系......

ZnO作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材料,具有3.37eV的禁带宽度,且其激子束缚能高达60meV,使得ZnO成为制备蓝/紫外光光电器件......