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适用于极限纳米级集成的新型3D结构场效应晶体管的研究
本文主要研究沟道宽度缩小到5nm和6nm的新型U形沟道场效应晶体管,由于在亚十纳米级尺寸下,制造结型的半导体器件十分困难,且掺杂等......
学位
亚十纳米级
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无结
抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计
近年来空间技术的快速发展,使越来越多的电子设备应用于空间设备中,空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOI MOSF......
学位
CMOS
SOI
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