环形栅相关论文
提出了一种新颖的、更加通用的环形栅器件版图等效宽度提取方法，用于解决目前商用SPICE模型中版图宽度提取方法不适用于环形栅器件......
为了实现与商用CMOS工艺兼容和最好的抗辐射效果，采用环形栅结构消除NMOS管中由总剂量效应引起的漏电流，采用保护环减轻单粒子闩锁效......
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
期刊
本文叙述了采用三种不同形状栅网(方孔栅、六角孔栅、环形栅)的导流系数为1.4μp的无截获栅栅控电子枪,在电子注分析器上进行实验......
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击......
近年来空间技术的快速发展，使越来越多的电子设备应用于空间设备中，空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOI MOSF......
先进集成电路工艺的迅猛发展使得先进集成电路的抗总剂量效应能力也得到一定程度的提升。但是由于工艺、晶圆以及生产线等多方面因......
在商用0.35μm互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(t_(ox))的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体(n-c......
