无结相关论文
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结......
随着集成电路制造工艺水平的提高,特征尺寸减小至纳米级,摩尔定律的发展进入了瓶颈期。为了继续推动摩尔定律的前进,提升集成电路......
本文主要研究沟道宽度缩小到5nm和6nm的新型U形沟道场效应晶体管,由于在亚十纳米级尺寸下,制造结型的半导体器件十分困难,且掺杂等......
随着集成电路行业的发展趋于成熟,同时兼具高集成度和高性能成为新型微纳器件的设计要求, 基于此研究一款新型Saddle 无结场效应晶......
根据摩尔定律(集成电路上可容纳的晶体管数目,每隔18个月便会增加一倍),集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小,随之而来不仅......
随着传统晶体管特征尺寸进一步缩小,形成超陡源漏pn结要求极高的掺杂浓度梯度以及极低的热预算,这对半导体工艺技术带来很大挑战。......
近年来，纸张薄膜晶体管（TFT）引起了越来越多的研究兴趣，因其成本低廉、可再生、便于携带和大规模生产等特点而广泛应用于电子纸、商品......
随着人们对肩袖撕裂认识的提高,肩袖撕裂在中老年人群中肩部疾病中的诊断率越来越高,然而对于中大型肩袖撕裂的治疗,由于存在术后......
学位
背景:随着人们对肩袖撕裂认识的提高,肩袖撕裂在中老年人群肩部疾病中的诊断率越来越高,然而对于中大型肩袖撕裂的治疗,由于术后再......
期刊
最近几年，一种被称为无结晶体管的新型场效应晶体管受到了广泛关注。由于无需在源漏极和沟道之间形成结，器件结构得到大大简化，从而降......
随着半导体技术的不断发展,作为大型集成电路基本单元的金属氧化物半导体场效应晶体管的尺寸在逐渐地按比例缩小,换句话说就是MOSF......
传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管是在半导体结的基础上而形成的。通过在器件的栅极施加电压偏置，半导体结可以对电流实现截止......
