双异质结相关论文
一直以来,制约Si基光电集成的一个关键难题就是如何实现高效的光源器件。Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有......
随着现代科技的进步,各类先进探测器以及精确制导技术获得了快速发展,雷达和红外探测技术作为常用的探测技术也在军事探测方面得到......
制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗.本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚......
报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN......
采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......
<正>卤化银（AgX）作为一种重要的光信息记录材料,也具有很好的光催化活性。目前,将AgX负载到A12O3、SiO2、TiO2等载体上形成的复合光......
近年来,由于人类社会的极速发展,环境污染和能源短缺的现象越来越严重,这让人类不得不重视环境污染的治理和新能源的创造,而利用太......
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作为光纤通信网络的关键光器件之一,光开关及其阵列一直是研究与开发的重点,要实现光分组交换层次上的高速全光通信,高速光开关及......
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成.在电子显微观察的电子辐照条件下,这些N 空位将进一步凝聚,形成一个......
光通信中采用量子保密技术,由单光子源发射光量子,加密系统进行光量子编码,单模光纤进行量子码传输和保偏,实现了信息流的物理加密......
从双异质结AlGaN/GaN/AlGaN HMET器件的结构特点,分析了影响二维电子气（2DEG）的若干因素,如AlGaN势垒层中AL组分、势垒层厚度、GaN层......
本文以PCW结构和平面界面结构的半导体激光器为例,对它们的侧向模式导引机制和模式选择性作了理论分析,对等位相面分布和辐射远场......
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结......
制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质......
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接带隙半导体,室温下具有3.37eV的宽禁带和60meV的高激子束缚能,同时具备热稳定性好、价格低廉、原料......
本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异......
本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可......
自GaN(氮化镓)高亮度蓝光LED的发明获得2014年诺贝尔物理学奖后,新型化合物半导体GaN逐渐被大众所熟知。基于GaN的大功率电子器件......
氮化镓基器件由于出色的性能,被学术界和工业界广泛的研究。增强型氮化镓器件在开关和数字电路领域也因具有较大的应用前景而被大......
GaN基HEMT器件由于其高击穿电场，高饱和速度等优越性能，在高频高温大功率器件应用方面有着广泛的前景。双异质结HEMT器件由于具有较......
学位
电能是目前最重要的能源，如何减少电能在传输、转换等过程中的损耗具有重大的现实意义。电力电子技术研究的是电能的输送、转换和控......
AlGaN/GaN HEMT由于具有击穿电压高、电子漂移速度快和载流子浓度大等特点,已被越来越多地应用于高频及大功率领域。其微波大功率......
由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随......
<正>半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I（光功率—电源）特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.......
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结......
期刊
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下......
