应变弛豫相关论文
作为一维纳米材料,半导体纳米线具备新颖的物理特性,在光子器件（激光器、光电探测器）、电子器件（场效应管、逻辑器件）、能源（太阳电池、......
以纳米岛为代表的低维半导体材料由于其独特的性能而受到国内外学者的广泛关注,并在纳米岛发光二极管、纳米岛激光器、纳米岛红外......
以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利......
应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的n型和p型沟道材料。以绝缘体上弛豫的S......
掺杂钙钛矿锰氧化物在铁磁相变点附近存在超大磁电阻效应(CMR)。因其在磁记录、磁传感器方面潜在的应用前景及金属—绝缘体相变所......
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大......
应变弛豫是自组织量子点生长的驱动力,异质外延生长模式及其转变与体系表面能、界面能和应变能有直接关系.基于异质外延生长系统的......
在(0001)取向的蓝宝石(αt-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000 A的Al0.22Ga0.7aN/GaN异质......
利用90°离轴射频磁控溅射方法将Lao.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO3(STO)、MgO和α-Al2O3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均......
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge......
用分子束外延技术在BaF2（111）衬底上生长了PbSe单晶薄膜，观测了表面形貌和微结构．结果表明，在高Se／PbSe束流比（≥0．4）条件下，PbSe按照二维层......
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑......
研究了氧化对外延在SOI衬底上的SiGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响．通过对SiGe薄膜采用不同工艺的氧化，从而了解不同氧化条件对SOI基......
本文以高精度大型可展开式索网结构天线尺寸稳定性为应用需求背景,利用热机械载荷试验装置,研究了T700碳纤维张力索在20 N~80 N循......
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子......
近几年来 Ｓｉ Ｇｅ Ｃ 三元合金受到人们的广泛关注，日益成为研究的热点之一。碳的加入为 Ｓｉ－ Ｇｅ 系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处......
利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不......
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到......
SiGe HBT器件具有优异的性能,在许多领域特别是高速和微波领域具有广泛应用,市场迅速发展。SiGe HBT微波单片放大电路作为一种通用......
量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不......
采用近空间升华法在 GaAs （100）衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs（100）衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的......
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅（SiGe—on—insulator，SGOI）材料，然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积（UHVCVD）法外延了厚......
利用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）及原子力显微镜（AFM）研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低......
半导体量子点由于其独特的量子效应从根本上改变了材料的光电性能,是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。在不同生长方向上自......
应变弛豫是自组织量子点生长的驱动力,异质外延生长模式及其转变与体系表面能、界面能和应变能有直接关系.基于异质外延生长系统的......
本文以通讯卫星大型索网结构天线张力索为应用需求背景,利用自制的真空热机械加载装置研究了聚酰亚胺编织绳在应力循环条件下的应......
近年来,AlGaN/GaN量子阱受到越来越多的关注并广泛应用于诸如紫外发光二极管和高电子迁移率晶体管等各类光电器件和电子器件中。然......
本文主要对锗硅量子点的制备及性质进行了研究。本文研究了通过图形衬底制备量子点的生长方式,并研究了生长参数和衬底条件对量子......
X射线双晶衍射模拟技术及运动学理论模拟双晶衍射摇摆曲线是研究研究半导体多层膜和超晶格的结构及完美性的有效手段。本文从X射线......
