InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......

InGaN材料因其具有直接带隙、高吸收系数、抗辐射特性、连续可调的禁带宽度等优秀的光电特性，被认为是最有前景的太阳能电池材料。......

本文通过TiberCAD模拟软件对GaN/InGaN量子阱太阳电池从宏观到微观进行了多尺度模拟,对GaN/InGaN单量子阱太阳电池和GaN/InGaN多量......

研究了生长在GaN／Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态，并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相，采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光......

随着计算机技术和计算物理学的发展，利用计算机软件模拟和预言材料物理和化学性质越来越成熟，第一性原理计算的理论计算方法已经成为......

利用密度泛函理论和广义梯度近似的超软赝势方法,计算了含有髙组分In的InGaN材料的晶格常数、形成能和能带结构.结果表明：晶格常数......