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InP-HEMT相关论文
InP—HEMT中复合沟道的设计与生长
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时......
期刊
InP-HEMT
高电子迁移率晶体管
复合沟道
磷化铟基
HEMT composite channel InP-based
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