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InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高频率、高增益、低功耗和低噪声等优异特性,在高速卫星通讯、高精度深空探测等空间设备电子系统......
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合......
该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏......
采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内......
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时......
氮化镓(GaN)材料具有宽禁带、高临界击穿电场和高电子饱和速度等优点,尤其是AlGaN/GaN异质结具有强极化效应,由此产生的高浓度二维......
近几十年来,全球无线通信产业发展迅速。无论在军事还是民用领域中的应用,都对射频器件的要求越来越高。而一直作为主导的第一代半......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高击穿电压和高频性能成为下一代无线基站及军事应用中功率放大器具有潜力的器件。从第一......
