报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑......

应用电子束直写技术成功制作了栅长0．18μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理......

应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路......

讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题，提出了增强型MHEMT的设计与实现方法．通过不......