x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本......

应用电子束直写技术成功制作了栅长0．18μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理......

应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路......

PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生......

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶......

半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工......

应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In。：Al0.48As／In。。Ga0.47AsGaAsMHEMT（渐变组分高电子迁移率晶体管）。从工艺角度，结......