MgZnO合金薄膜相关论文
ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下它的能隙宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV。自从日本和香港的科学家在1997年首次实现了室温......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线......
宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十......
该文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底上制备出了高纯度的金属锌膜,然后通过二次退火得到了具有六角结构的高质量氧化锌多晶薄膜......
采用射频磁控溅射技术在Si O2衬底上制备了MgZnO合金薄膜,分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪分析了薄膜的结构......
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体......
采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线......
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体......
