We present a new procedure for rapid synthesis of luminescent Mn-doped ZnSe nanocrystals in aqueous phase by microwa......

Heavily Mn-doped SiGe thin films were grown by radio frequency magnetron sputtering and then treated by postgrowth therm......

应用溶胶凝胶法,以尿素、氯化锰和钛酸丁酯为原料制备了纯Ti O2、N掺杂、Mn掺杂及N、Mn共掺杂的Ti O2纳米粉体。采用XRD、SEM、EDS......

综述了TiO2粉体的制备和其在光催化降解中的应用。提出了以钛酸四丁酯为前驱物，采用溶胶-凝胶法制备TiO2粉体。并且以MnSO4·H2......

用半化学法制备掺锰0.6Pb（Ni1/2W1/2）O3-0.4PbTiO3（PNW-PT）反应前驱体。将该前驱体在800℃、2 h预烧,950℃、2 h烧结,制备不同掺锰量的......

以ZnSe：Mn/ZnSe纳米晶体为基础,分析了Mn^2＋离子在纳米晶体中的扩散行为.通过电子顺磁共振（EPR）谱参数确定Mn^2＋离子处在纳米晶体内部.......

利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活......

主要研究了掺杂过渡金属(Mn、Co)的SnO2纳米晶样品(半导体金属氧化物)的合成及其对氢气的敏感特性。该样品采用溶胶凝胶法制备,随......

采用固相反应法的冷压陶瓷技术在1 380 ℃/5 h烧结条件下制备了（Ba0.75Sr0.25）（Ti1-yMny）O3（y =0.00-0.20）陶瓷,利用激光拉曼光谱（RS）技术,......

Mn掺杂及其价态变化可引起钛酸锶钡陶瓷有趣的结构相变,对低损耗陶瓷材料的开发具有重要的研究价值.采用冷压陶瓷技术在1 380℃/5 ......

采用传统的冷压陶瓷技术制备了（Ba1-xNdx）（Ti0.97Mn0.03）O3（x=0.01,0.02,0.04,0.06）陶瓷.利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）确定晶体......

从3个方面考虑核壳结构掺Mn纳米晶体中的应力对荧光的影响,包括基于晶体场理论的应力、基于弹性力学的应力和Laplace应力.重点是得......

TiO2以其无毒、催化活性高、氧化能力强、稳定性好成为最常用光催化剂,但是由于TiO2的禁带较宽（锐钛矿的Eg≈3.2 e V）,光催化吸收仅......

目的从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、......

本文研究了锰掺杂对ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ系陶瓷相组成的影响，用ＸＲＤ和ＳＥＭ法探讨了ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ系中ＰＺＮ含量与焦录石相形成间的关系。结果表明，在该三元系中添加０．１５ｗｔ％ＭｎＣＯ＿３就能获得完全无焦......