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N岛缓冲层相关论文
功率4H-SiC UMOSFET单粒子烧毁及加固结构研究
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
学位
单粒子烧毁效应
碳化硅
功率UMOSFET
N岛缓冲层
碰撞电离
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