单粒子烧毁效应相关论文
随着当今科技的飞速发展和第三代半导体的广泛应用,电力电子系统和集成电路系统对功率半导体器件的要求日益提升。4H-Si C结势垒肖......
利用飞秒脉冲激光对氮化镓（GaN）功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究，针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型，计算了激光......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应......
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两......
功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）在空间辐射环境中极易受到高能质子、重离子的影响发生单粒子效应（s......
