为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......

In this work,a quantum-chemical investigation on the structural and opto-electronic properties of oligo(thiophene-phenyl......

本文通过对荣华二采区10...

A novel method for the preparation of oligothiophene molecular wires is described via a bi-directional solid-phase synth......

The ITO/5T/PCH/Al device has a short circuit current of 3.4 mA/cm2, an open circuit voltage of 2.1 V, fill fact of 27.5 ......

设计合成了吸电子基团（2-氰基-2-羧基乙烯基）修饰的三联噻吩3T-CCV，研究了它的光物理和光电化学性质．密度泛函计算证明，3T-CCV受光激发......

导电聚合物中的元激发稳定性问题对于认识和理解有机材料中的自旋极化输运现象是极其重要的。针对目前存在的极化子与双极化子之间......

通过在并五苯的6-位和13-位引入寡聚噻吩取代基,成功地合成了三个噻吩修饰的并五苯衍生物（1a～1c）,其结构经NMR,IR,MS和元素分析表征,......

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子噻吩聚合物的中性态和带电态的几何结构性质.与中性态相比,带电态下其分子结构......

研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜（PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数）在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化......

以过渡金属催化的c—c键偶合反应为关键步骤，设计合成了带4条烷基侧链的锯齿形六联寡聚噻吩波拉化合物I，采用。H NMR、13C NMR和元素......